在選MOSFET的過程中，我們要了解其中的各個參數。  

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??1）電壓應力：  

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??在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實際工作環境中的*大峰值漏源*間的電壓不大于器件規格書中標稱漏源擊穿電壓的90%。即：VDS_peak≤90%*V(BR)DSS。  

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??一般V(BR)DSS具有正溫度系數。故應取設備*低工作溫度條件下之V(BR)DSS值作為參考。  

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??2）漏*電流：  

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??其次考慮漏*電流的選擇?；驹瓌t為MOSFET實際工作環境中的*大周期漏*電流不大于規格書中標稱*大漏源電流的90%；漏*脈沖電流峰值不大于規格書中標稱漏*脈沖電流峰值的90%即：ID_max≤90%*ID  

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??一般地，ID_max及ID_pulse具有負溫度系數，故應取器件在*大結溫條件下之ID_max及ID_pulse值作為參考。器件此參數的選擇是*為不確定的—主要是受工作環境，散熱技術，器件其它參數（如導通電阻，熱阻等）等相互制約影響所致。*終的判定依據是結點溫度（即如下第六條之“耗散功率約束”）。根據經驗，在實際應用中ID會比實際*大工作電流大數倍，這是因為散耗功率及溫升之限制約束。在初選計算時期還須根據下面第六條的散耗功率約束不斷調整此參數。建議初選于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。  

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??3）驅動要求：  

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??MOSFEF的驅動要求由其柵*總充電電量（Qg）參數決定。在滿足其它參數要求的情況下，盡量選擇Qg小者以便驅動電路的設計。驅動電壓選擇在保證遠離*大柵源電壓（VGSS）前提下使Ron盡量小的電壓值（一般使用器件規格書中的建議值）。  

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??4）損耗及散熱：  

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??小的Ron值有利于減小導通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。  

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??5）損耗功率初算：  

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??MOSFET損耗計算主要包含如下8個部分：PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover；詳細計算公式應根據具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應用場合，還要考慮體內二*管正向導通期間的損耗和轉向截止時的反向恢復損耗。  

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??6）耗散功率約束：  

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??器件穩態損耗功率PD,max應以器件*大工作結溫度限制作為考量依據。如能夠預先知道器件工作環境溫度，則可以按如下方法估算出*大的耗散功率：PD,max≤（Tj,max-Tamb）/Rθj-a。  

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??其中Rθj-a是器件結點到其工作環境之間的總熱阻,包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進去。計算方式可按熱流等效電路進行計算。  

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??再根據此數值返回到上面重新調整ID/Ron等參數（如需要）。直到PD,max計算值接近而有不超過（Tj,max-Tamb）/Rθj-a計算值。